Jag accepterar att kakor lagras på min dator

Läs mer

Investigation of the equivalent circuit and carrier lifetimes of Si/SiGe heterostructure P-N diodes for frequencies between 0.5 and 18.5 MHz.

Investigation of the equivalent circuit and carrier lifetimes of Si/SiGe heterostructure P-N diodes for frequencies between 0.5 and 18.5 MHz. Beställ tryckt exemplar Lägg i kundvagnen
Författare: Ahlfors Lars, Rudner Staffan, Willander Magnus
Ort: Linköping
Sidor: 37
Utgivningsår: 1987
Publiceringsdatum: 1987-10-19
Rapportnummer: (FOA C 30469-3.2)
Nyckelord Diode, heterostruktur, laddningsbärarlivslängd, 340, mikrovågsteknik

Kundvagn

Inga rapporter i kundvagnen

FOI, Totalförsvarets forskningsinstitut

FOI
Totalförsvarets forskningsinstitut
164 90 Stockholm

Tel: 08-555 030 00
Fax: 08-555 031 00

Orgnr: 202100-5182