Jag accepterar att kakor lagras på min dator

Läs mer

Analys av mikrovågsinducerade störningar i pn-dioder.

Analys av mikrovågsinducerade störningar i pn-dioder. Beställ tryckt exemplar Lägg i kundvagnen
Författare: Svedin Jan
Ort: Linköping
Sidor: 42
Utgivningsår: 1993
Publiceringsdatum: 1993-10-22
Rapportnummer: (FOA C 30720-8.3, 3.2)
Nyckelord HPM, mikrovågsteknik, pn-dioder, HPTK, microwave techniques, pn-diodes, 340
Sammanfattning Metodik för analys av mikrovågsinducerade störningar i pn-dioder har utvärderats. Det har konstaterats att parasiter i vissa fall kraftigt påverkar störkänsligheten. Detta medför att en given komponents störtålighet är avhängig det sätt på vilket den monterats, och beror av den omgivning i vilken den arbetar. I föreliggande arbete har parasiterna bestämts genom anpassning av reflektionsdata till en småsignal diodmodell. Mikrovågsförstärkningen har sedan beräknats, dels genom användande av en dynamisk diodmodell direkt härledd från den tidsberoende diffusionsekvationen som principiellt kan användas för fall då minoritetsbärarnas rekombinationstid är av samma storleksordning som mikrovågsssignalens periodtid, och dels (för jämförelse) genom utnyttjande av diodmodellen i SPICE. Överensstämmelsen mellan mätningar och beräknade resultat avseende förändring av biasström vid konstant hållen biasspänning vid galvanisk injektion av sinusformade mikrovågssignaler har befunnits acceptabel i områden inte alltför nära diodknät för två olika typer av dioder. Några möjliga angreppssätt för den praktiska provningsverksamheten har även diskuterats.
Abstract Methods for analysis of microwave induced interference in pn-diodes have been evaluated. It has been found that the effects of parasitics may significantly affect the diode susceptibility. This implies that the noise immunity of a given diode depends on the way it is mounted, and on its environment. In this work parasitics have therefore been determined by adapting reflection data to a small signal model. The microwave amplification has then been calculated, both by using a dynamic diode model directly derived from the time-dependent diffusion equation which in principle allows minority carrier recombination times of the same order as the microwave signal period time, but also (for comparison) by using the diode model in SPICE. The agreement between measurements and calculated results concerning change in bias current with a constant bias voltage when the diode is exposed to sinusoidal microwave signals has been found acceptable in regions not to close to the diod knee. Approaches for attacking the practical testing activity have also been discussed.

Kundvagn

Inga rapporter i kundvagnen

FOI, Totalförsvarets forskningsinstitut

FOI
Totalförsvarets forskningsinstitut
164 90 Stockholm

Tel: 08-555 030 00
Fax: 08-555 031 00

Orgnr: 202100-5182